» » Туннельно-резонансный диод сгенерировал 1,111 ТГц

 

Туннельно-резонансный диод сгенерировал 1,111 ТГц

Автор: © iPULSAR от 17 января 2012, посмотрело: 2422

0 Полупроводник установил новый рекорд по частоте генерации для туннельно-резонансного диода (RTD) – он способен генерировать на частоте 1,111 ТГц. Это самая высокая частота, которая когда-либо была достигнута в полупроводниковом устройстве. Теоретически, как утверждает Michael Feiginov – исследователь института микроэлектроники и фотоники, полупроводник может воспроизводить значительно более высокие частоты - до трех терагерц.

Это будет возможно при анализе материала с помощью терагерцового излучения с высоким разрешением. Туннельный диод исследователей Дармштадта работает при комнатной температуре, что делает его привлекательным для различных технических решений. "Например, его можно использовать для спектроскопического исследования молекул, которые имеют свои резонансы в диапазоне терагерц", - говорит Feiginov.

В том числе, датчик может быть применен в устройствах контроля качества материалов (проверка целостности структуры) или в медицине для отличия больных тканей от здоровых в организме.

Миниатюризация устройства уже находится на пределе технически возможного. Сердце диода-RTD, имеет двухбаръерную структуру в квантовой яме, встроенную в тонкий слой полупроводника индиум-геллиум-арсенида, который внедрен между двумя очень тонкими барьерными слоями полупроводникового арсенида алюминия.

Толщина каждого слоя не превышает нескольких нанометров. Структура двойного барьера гарантирует, что электрические колебания в терагерцовом диапазоне генератора не будут затухать, а наоборот – усиливаться.


Подробнее на SPECTRONIC

Категория: Навигация и связь, Робототехника, Системы безопасности, Бытовая техника

Приветствуем Вас на нашем информационном сайте! Регистрация пользователей не осуществляется.